摘要：
3般採用屏下镜头设计。 Galaxy Z Flip 3备有8 GB随机存取存储器，並备有128 GB或256 GB两种內部存储选项。该产品不具备microSD插槽，与Galaxy Z Flip相似。 Galaxy Z Flip 3备有3300 mAh鋰离子聚合物电池（不可拆卸），较同年发布的Galaxy S21之4000。...
3般採用屏下镜头设计。 Galaxy Z Flip 3备有8 GB随机存取存储器，並备有128 GB或256 GB两种內部存储选项。该产品不具备microSD插槽，与Galaxy Z Flip相似。 Galaxy Z Flip 3备有3300 mAh鋰离子聚合物电池（不可拆卸），较同年发布的Galaxy S21之4000。
最高支持64TB虚拟内存 超标量架构 工作电压：3.3V（除了第一代“P5”） 用于桌面计算机 8 KB指令高速缓存 8 KB数据缓存 P5——0.8 μm制造工艺 1993年3月22日发布 310万个晶体管 只有这一代奔腾处理器运行在5 V电压 插槽：Socket 4（273针PGA封装） 封装大小为4.6656。
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zui gao zhi chi 6 4 T B xu ni nei cun chao biao liang jia gou gong zuo dian ya ： 3 . 3 V （ chu le di yi dai “ P 5 ” ） yong yu zhuo mian ji suan ji 8 K B zhi ling gao su huan cun 8 K B shu ju huan cun P 5 — — 0 . 8 μ m zhi zao gong yi 1 9 9 3 nian 3 yue 2 2 ri fa bu 3 1 0 wan ge jing ti guan zhi you zhe yi dai ben teng chu li qi yun xing zai 5 V dian ya cha cao ： S o c k e t 4 （ 2 7 3 zhen P G A feng zhuang ） feng zhuang da xiao wei 4 . 6 6 5 6 。
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52-86），10部编配予龙运巴士（即701-709、401），全数配亚歷山大丹尼士Enviro 500车身及使用Gorba电子显示屏，並在车尾冷气槽位装设了倒车闭路电视；AVBE52-66配用D9A-300引擎及ZF 6HP592C波箱，AVBE67-86则配用D9A-340引擎及Voith DIWA864。
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地拉低分解閂以分解出套筒。套筒的前部和后部都刻有防滑槽。套筒后部还有无弹后定桿，左右两手均可操作。套筒顶部、照门的前方有两个销。前一个是销是抽壳鉤轴，后一个销是击针保险，扣动扳机时保险抬起，击针才能撞击枪弹底火。復进簧导桿是由两端夹紧，其中一端被插进一块大约25。
，自贡实现了第一次产业结构调整，制盐业开始向化工领域延伸。兴建了鸿鹤化工厂、邓关盐厂和自贡炭黑厂，扩建了自贡张家坝制盐化工厂等13户企业。自贡炭黑厂槽法炭黑工程竣工投产。与此同时，自贡市化工生产也取得了骄人成就，如张家坝制盐化工厂的氯化钡实现出口，产品质量超过英国一级品，达到世界一流水平；自贡化工。
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5mmTRS接口的颜色做出了定义：粉色代表麦克风，淡蓝色代表音源输入，青柠色代表音频输出。AC97及2004年的后续版本英特尔高保真音频技术规范被广泛采用，虽然不强制要求物理插槽，但还是提供了前面板（英语：Intel_High_Definition_Audio#Front_panel_connector）接口的规范，并为两个带有接口检测功能的端口分配了引脚。。
Core Prime，它是更新的版本，更新，规格更高。 適用於中国的双卡版本，但没有闪光灯，还是有相机。 中国移动的TD-LTE模式 单SIM卡插槽 双SIM卡插槽 2014年11月发布; GSM，LTE（Cat4），HSPA，单卡（Duos Dual SIM）。四核1.2 GHz Cortex-A53。
GB及256 GB內部存储）或16 GB（512 GB內部存储）隨机存取记忆体选项。所有四个型号都不再具有 S20 系列中包含的 microSD 卡插槽。 S21、S21 FE、 S21+、及S21 Ultra分別具备4000 mAh、4500 mAh、4800 mAh、及5000。
在AZ-5按钮被按下后，被抽出的全部控制棒开始重新插回反应炉中。控制棒的移动速度为每秒0.4公尺，完全插入7公尺高的核心需要18至20秒。RBMK反应炉控制棒的设计也是一个大问题。控制棒的尖端连结了一块促进连锁反应的石墨。原本的设计用意是让控制棒抽出时，尖端的石墨能促进並均匀连锁反应。但这也导致一开始插。
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